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ST推出250A功率MOSFET 提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效

2008-07-23 09:56 性質(zhì):轉(zhuǎn)載 作者:電子產(chǎn)品世界 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界
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意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻,可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性...

  意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻,可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性能。

  新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線(xiàn)帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET,無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程,典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括:開(kāi)關(guān)損耗低,抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外,九線(xiàn)源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時(shí),封裝的額定功率為300W。

  新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設(shè)計(jì)多個(gè)并聯(lián)的MOSFET,達(dá)到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)閾壓還有助于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。STV250N55F3適用于高達(dá)55V的電力設(shè)備。

  高達(dá)175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強(qiáng)電流電力牽引設(shè)備,如叉車(chē)、高爾夫球用車(chē)和電動(dòng)托盤(pán)裝卸車(chē)以及割草機(jī)、電動(dòng)輪椅和電動(dòng)自行車(chē)。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過(guò)100%的雪崩測(cè)試,為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達(dá)到汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

  在同一個(gè)產(chǎn)品系列,ST還有一款型號(hào)為55V STV200N55F3的產(chǎn)品,該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A,源極連線(xiàn)配置為4線(xiàn)。

  STV250N55F3樣片即刻上市銷(xiāo)售,預(yù)計(jì)2008年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)。

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