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ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅動能效

2008-07-23 09:56 性質:轉載 作者:電子產(chǎn)品世界 來源:電子產(chǎn)品世界
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意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性...

  意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性能。

  新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET,無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程,典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括:開關損耗低,抗雪崩性能強。除提高散熱效率外,九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時,封裝的額定功率為300W。

  新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設計多個并聯(lián)的MOSFET,達到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標準驅動閾壓還有助于簡化驅動電路的設計。STV250N55F3適用于高達55V的電力設備。

  高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強電流電力牽引設備,如叉車、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車以及割草機、電動輪椅和電動自行車。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過100%的雪崩測試,為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達到汽車級產(chǎn)品質量標準。

  在同一個產(chǎn)品系列,ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產(chǎn)品,該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A,源極連線配置為4線。

  STV250N55F3樣片即刻上市銷售,預計2008年第三季度開始量產(chǎn)。

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